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Infineon

IRGIB10B60KD1P

IR的IGBT管（全塑封）IRGIB10B60KD1P

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IRGIB10B60KD1P 器件参数

Function

额定电流

16 A
额定电压

600 V
集电极电流

16 A
集电极发射极饱和电压

2.1 V
集电极-发射极电压

600 V
集电极-发射极击穿电压

600 V
配置

Single
栅极电荷

41 nC
晶体管类型

NPT
技术

IGBT Gen 5
反向恢复时间

79 ns
功率耗散

44 W
上升时间

24 ns

Physical

抗辐射加固

No
引脚数

3
工作温度

-55 °C, 175 °C
安装方式

Through Hole
包装方式

Rail/Tube
包装数量

50
制造商封装

TO-220F-3

Compliance

无铅

Lead Free
RoHS

yes

IRGIB10B60KD1P EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

下载zip

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