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STMicroelectronics

STGB15M65DF2

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

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STGB15M65DF2 器件参数

Function

集电极电流

30 A
集电极-发射极电压

2 V
集电极-发射极击穿电压

650 V
类型

沟槽场截止
等级

Industrial
栅极电荷

45 nC
晶体管类型

沟槽型场截止
反向恢复时间

142 ns
功率耗散

136 W
击穿电压

650 V

Physical

工作温度@Tj

175 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

175 °C
安装方式

SMT
包装方式

Cut Tape
制造商封装

D2PAK

Compliance

无铅

No

STGB15M65DF2 EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

下载zip

STGB15M65DF2 数据手册

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STGB15M65DF2

1年前

Huaqiu Chip
Datasheet

1年前

Huaqiu Chip

STGB15M65DF2 图片

Huaqiu Chip
Digikey

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