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RS1DL RFG

制造商:Taiwan Semiconductor

描述:DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

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器件参数

Function

  • 平均整流电流
    800 mA
  • 反向电压
    200 V
  • 反向漏电流
    5 μA
  • 反向恢复时间
    150 ns

Physical

  • 工作温度(Min)
    -55 °C
  • 工作温度(Max)
    150 °C
  • 工作温度
    150 °C
  • 制造商封装
    DO-219AB
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