VS-GT100DA120U

制造商：Vishay

描述：Igbt Single Transistor, 258 A, 1.73 V, 893 W, 1.2 Kv, Sot-227, 4

Datasheet：

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器件参数

Function

集电极电流

258 A
集电极发射极饱和电压

1.73 V
集电极-发射极电压

1.2 kV
集电极-发射极击穿电压

1.2 kV
配置

Single
输入

Standard
热敏电阻

No
晶体管类型

沟道
功率耗散

893 W

Physical

抗辐射加固

No
引脚数

4
工作温度

-40 °C, 150 °C
安装方式

Screw
制造商封装

SOT-227

Compliance

无铅

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
REACH SHVC Compliant

Unknown

Dimension

高度

12.3 mm
长度

38.3 mm
宽度

25.7 mm

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