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ON Semiconductor

HGTG5N120BND

IGBT NPT 1200V 21A TO247-3

数据手册下载立即订购

HGTG5N120BND 器件参数

Function

额定电流

21 A
额定电压

1.2 V, 1.2 kV
集电极电流

21 A
集电极发射极饱和电压

2.45 V
集电极-发射极电压

1.2 kV
集电极-发射极击穿电压

1200 V
配置

Single
类型

NPT
栅极电荷

53 nC
晶体管类型

NPT
反向恢复时间

65 ns
功率耗散

167 W
击穿电压

600 V

Physical

重量

0.225401 oz
触点镀层

Tin
抗辐射加固

No
引脚数

3
工作温度@Tj

150 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

150 °C
安装方式

Through Hole
包装方式

Rail/Tube
包装数量

30
制造商封装

TO-247-3

Compliance

无铅

Lead Free
REACH SHVC Compliant

No SVHC

HGTG5N120BND EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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HGTG5N120BND 数据手册

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