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APT75GN120B2G

制造商:Microchip Technology

描述:IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 额定电流
    200 A
  • 额定电压
    1.2 V, 1.2 kV
  • 集电极电流
    200 A
  • 集电极发射极饱和电压
    2.1 V
  • 集电极-发射极电压
    1.2 kV
  • 集电极-发射极击穿电压
    1.2 kV
  • 配置
    Single
  • 栅极电荷
    425 nC
  • 晶体管类型
    Trench Field Stop
  • 功率耗散
    833 W

Physical

  • 抗辐射加固
    No
  • 工作温度
    -55 °C, 150 °C
  • 安装方式
    Through Hole
  • 包装方式
    Rail/Tube
  • 制造商封装
    TO-247-3

Compliance

  • 无铅
    Lead Free
库存量:0
预计交期:
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单价
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