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Infineon

SGP20N60HS

High Speed IGBT in NPT-Technology, PG-TO220-3-1, Tube, Green

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SGP20N60HS 器件参数

Function

集电极电流

36 A
集电极发射极饱和电压

3.15 V
集电极-发射极电压

600 V
集电极-发射极击穿电压

600 V
配置

Single
栅极电荷

100 nC
晶体管类型

NPT
功率耗散

178 W

Physical

工作温度

-55 °C, 150 °C
安装方式

DIP
包装方式

Rail/Tube
包装数量

500
制造商封装

TO-220-3

Compliance

无卤素

Halogen Free

SGP20N60HS EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

下载zip

SGP20N60HS 数据手册

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INFNS14174-1.pdf

1年前

Huaqiu Chip
Datasheet

Rev. 2.4

1年前

Altium Library

SGP20N60HS 图片

Huaqiu Chip

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