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AFGB30T65SQDN

制造商:ON Semiconductor

描述:650V/30A FS4 IGBT TO263 A

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 集电极电流
    60 A
  • 集电极发射极饱和电压
    2.1 V
  • 集电极-发射极击穿电压
    650 V
  • 栅极电荷
    56 nC
  • 反向恢复时间
    245 ns

Physical

  • 安装方式
    SMT
  • 制造商封装
    TO-263-3

Compliance

  • RoHS
    Yes
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