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BPW24R

PHOTODIODE 790 TO 1050 NM

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BPW24R 器件参数

Function

波长

900 nm
暗电流

2 nA
峰值波长(Min)

400 nm
峰值波长(Max)

1100 nm
峰值波长

400 nm, 900 nm
反向电压

60 V
反向击穿电压

60 V
功率耗散

210 mW
击穿电压

200 V
下降时间

7 ns
上升时间

7 ns

Physical

抗辐射加固

No
引脚数

2
工作温度(Min)

-40 °C
工作温度(Max)

125 °C
工作温度

125 °C
安装方式

Through Hole
可视角度

24 ?
包装方式

Bulk
制造商封装

插件,P=2.54mm

Compliance

无铅

Lead Free
REACH SHVC Compliant

Unknown

Dimension

高度

6.15 mm
长度

5.5 mm
宽度

5.5 mm

BPW24R EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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1年前

Huaqiu Chip
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poYBAGPEgaKAIhMYAAKjrncn3PU514.pdf

1年前

Huaqiu Chip
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1年前

Huaqiu Chip

BPW24R 图片

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Huaqiu Chip

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