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IPB039N10N3GE8187ATMA1

制造商:Infineon

描述:MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 连续漏极电流
    160 A
  • 输入偏置电容
    8.41 nF
  • 漏源电压
    100 V
  • 漏源导通电阻
    3.9 mΩ
  • 栅极电荷@10V
    117 nC
  • 晶体管类型
    N沟道
  • 功率耗散
    214 W

Physical

  • 工作温度
    -55 °C, 175 °C
  • 安装方式
    SMT
  • 包装方式
    Cut Tape
  • 制造商封装
    TO-263-7

Compliance

  • 无铅
    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
库存量:0
预计交期:
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单价
总价(阶梯最低数量总价)

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