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ON Semiconductor

FDG327NZ

Mosfet, N-Ch, 20V, 1.5A, Sc-70-6; Channel Type:n Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:1.5A; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:700Mv Rohs Compliant: Yes

数据手册下载立即订购

FDG327NZ 器件参数

Function

额定电流

1.5 A
额定电压

20 V
阈值电压

700 mV
配置

Single
连续漏极电流

1.5 A
输入偏置电容

412 pF
漏源电阻

90 mΩ
漏源电压

20 V
漏源极击穿电压

20 V
漏源导通电阻

90 mΩ
栅源电压

8 V
栅极电荷@4.5V

6 nC
晶体管类型

N沟道
接通延迟时间

13 ns
功率耗散

420 mW
关闭延迟时间

33 ns
元件数量

1
下降时间

12 ns
上升时间

12 ns

Physical

端子间距

0.65 mm
抗辐射加固

No
引脚数

6
工作温度

-55 °C, 150 °C
安装方式

Surface Mount
包装方式

Tape and Reel
制造商封装

SC-70-6

Compliance

无铅

Lead Free
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

1 mm
长度

2 mm
宽度

1.25 mm

FDG327NZ EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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1年前

Huaqiu Chip
Datasheet

1年前

Farnell

FDG327NZ 图片

Huaqiu Chip
Farnell

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