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Texas Instruments (TI)

LM5110-1M/NOPB

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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LM5110-1M/NOPB 器件参数

Function

驱动配置

低压侧
驱动器数量

2
静态电流

1 mA
输出端数量

2
输出电流

5 A
类型

N通道 MOSFET
电源电压

14 V, 3.5 V
电压(Min)

3.5 V
电压(Max)

14 V
接通延迟时间

40 ns
供电电流

2 mA
传播延迟

40 ns
下降时间

25 ns
上升时间

25 ns

Physical

端子间距

1.27 mm
抗辐射加固

No
引脚数

8
工作温度

-40 °C, 125 °C
安装方式

Surface Mount
包装方式

Rail/Tube
包装数量

95
制造商封装

SOIC-8

Compliance

无铅

Lead Free
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

1.45 mm
长度

4.9 mm
宽度

3.9 mm

LM5110-1M/NOPB EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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LM5110-1M/NOPB 数据手册

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Huaqiu Chip

LM5110-1M/NOPB 图片

Huaqiu Chip
Digikey

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