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ON Semiconductor

FQU5P20TU

MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK

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FQU5P20TU 器件参数

Function

额定电流

-3.7 A
额定电压

-200 V
配置

Single
连续漏极电流

3.7 A
输入偏置电容

430 pF
漏源电阻

1.4 Ω
漏源电压

200 V
漏源极击穿电压

-200 V
漏源导通电阻

1.4 Ω
栅源电压

30 V
栅极电荷@10V

13 nC
晶体管类型

P沟道
接通延迟时间

9 ns
导通电阻

1.4 Ω
功率耗散

2.5 W
关闭延迟时间

12 ns
元件数量

1
下降时间

25 ns
上升时间

70 ns

Physical

配置

Single
抗辐射加固

No
引脚数

3
工作温度

-55 °C, 150 °C
安装方式

Through Hole
包装方式

Rail/Tube
包装数量

70
制造商封装

TO-251-3

Compliance

无铅

Lead Free
RoHS

Yes

Dimension

高度

7.57 mm
长度

6.8 mm
宽度

2.5 mm

FQU5P20TU EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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FQU5P20TU

1年前

Huaqiu Chip
Datasheet

1年前

Huaqiu Chip
Datasheet

1年前

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Huaqiu Chip
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