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FGH75T65SQDT-F155

制造商:ON Semiconductor

描述:650V 75A FS4 TRENCH IGBT

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 集电极电流
    150 A
  • 集电极发射极饱和电压
    1.6 V
  • 集电极-发射极电压
    650 V
  • 集电极-发射极击穿电压
    650 V
  • 类型
    沟槽场截止
  • 正向电流
    150 A
  • 正向电压
    1.8 V
  • 栅极电荷
    128 nC
  • 反向恢复时间
    76 ns
  • 功率耗散
    375 W

Physical

  • 工作温度@Tj
    175 °C
  • 工作温度(Min)
    -55 °C
  • 工作温度(Max)
    175 °C
  • 安装方式
    DIP
  • 包装方式
    30pcs
  • 制造商封装
    TO-247AC-3

Compliance

  • 无铅
    Yes
  • RoHS
    Yes
库存量:0
预计交期:
数量
单价
总价(阶梯最低数量总价)

EDA模型
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原理图符号
封装
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