IPI50R399CPXKSA1

制造商：Infineon

描述：MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3

Datasheet：

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器件参数

Function

配置

Single
连续漏极电流

9 A
输入偏置电容

890 pF
漏源电阻

399 mΩ
漏源电压

500 V
漏源极击穿电压

560 V
漏源导通电阻

399 mΩ
栅源电压

20 V
栅极电荷@10V

23 nC
晶体管类型

N沟道
接通延迟时间

35 ns
功率耗散

83 W
关闭延迟时间

80 ns
上升时间

14 ns

Physical

工作温度

-55 °C, 150 °C
安装方式

Through Hole
包装方式

Rail/Tube
包装数量

500
制造商封装

TO-262-3

Compliance

无铅

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
RoHS

yes

Dimension

高度

9.45 mm
长度

10.2 mm
宽度

4.5 mm

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