IKD06N60RAATMA2

制造商：Infineon

描述：Trans IGBT Chip N-CH 500V 12A 3-Pin TO-252 T/R

Datasheet：

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器件参数

Function

集电极电流

12 A
集电极发射极饱和电压

2.1 V
集电极-发射极电压

500 V
集电极-发射极击穿电压

600 V
配置

Single
栅极电荷

48 nC
晶体管类型

Trench
反向恢复时间

68 ns

Physical

工作温度

-40 °C, 175 °C
安装方式

Surface Mount
制造商封装

TO252-3

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