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NJVMJD2955T4G

制造商:ON Semiconductor

描述:Complementary Power Transistor, 3-Pin DPAK, Pb-Free, Tape and Reel

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 频率
    2 MHz
  • 集电极电流
    10 A
  • 集电极发射极饱和电压
    8 V
  • 集电极-基极电压
    70 V
  • 集电极-发射极电压
    60 V
  • 集电极-发射极击穿电压
    60 V
  • 转换频率
    2 MHz
  • 电流增益 hFE@4A,4V
    20
  • 极性
    PNP
  • 晶体管类型
    PNP
  • 发射极 - 基极电压
    5 V
  • 功率耗散
    1.75 W
  • 元件数量
    1

Physical

  • 抗辐射加固
    No
  • 引脚数
    3
  • 工作温度
    -55 °C, 150 °C
  • 安装方式
    SMT
  • 包装方式
    Tape and Reel
  • 制造商封装
    DPAK

Compliance

  • 无铅
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
库存量:0
预计交期:
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单价
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EDA模型
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封装
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