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Diodes

MMBT123S-7-F

TRANS NPN 18V 1A SOT23-3

数据手册下载立即订购

MMBT123S-7-F 器件参数

Function

额定电流

1 A
额定电压

18 V
频率

100 MHz
集电极电流

1 A
集电极截止电流

1 μA
集电极发射极饱和电压@300mA,30mA

500 mV
集电极-基极电压

45 V
集电极-发射极电压

18 V
集电极-发射极击穿电压

18 V
配置

Single
转换频率

100 MHz
电流增益 hFE@100mA,1V

150
极性

NPN
晶体管类型

NPN
增益带宽乘积

100 MHz
发射极 - 基极电压

5 V
功率耗散

300 mW
击穿电压

18 V
元件数量

1

Physical

重量

0.000282 oz
抗辐射加固

No
引脚数

3
工作温度@Tj

150 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

150 °C
安装方式

Surface Mount
包装方式

Tape and Reel
制造商封装

SOT-23

Compliance

无铅

Lead Free
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

1 mm
长度

3.05 mm
宽度

1.4 mm

MMBT123S-7-F EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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MMBT123S-7-F 数据手册

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1年前

Huaqiu Chip
Datasheet

poYBAGMBkGuAXxFSAAGxjEMEsPY049.pdf

1年前

Huaqiu Chip

MMBT123S-7-F 图片

Huaqiu Chip
Digikey

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