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Infineon

IRLR3705ZTRPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

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IRLR3705ZTRPBF 器件参数

Function

  • 阈值电压
    3 V
  • 配置
    Single
  • 连续漏极电流
    42 A
  • 输入偏置电容
    2.9 nF
  • 类型
    N沟道
  • 漏源电阻
    8 mΩ
  • 漏源电压
    55 V
  • 漏源极击穿电压
    55 V
  • 漏源导通电阻@10V,42A
    8 mΩ
  • 漏源导通电阻
    8 mΩ
  • 栅源电压
    20 V
  • 栅源极阈值电压@250uA
    3 V
  • 栅极电荷@5V
    66 nC
  • 晶体管类型
    N沟道
  • 接通延迟时间
    17 ns
  • 功率耗散
    130 W
  • 关闭延迟时间
    33 ns
  • 元件数量
    1
  • 下降时间
    70 ns
  • 上升时间
    150 ns

Physical

  • 抗辐射加固
    No
  • 引脚数
    3
  • 工作温度
    175 °C
  • 安装方式
    Surface Mount
  • 包装方式
    Tape and Reel
  • 包装数量
    1
  • 制造商封装
    TO-252

Compliance

  • 无铅
    Lead Free
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    2.39 mm
  • 长度
    6.73 mm
  • 宽度
    6.22 mm

IRLR3705ZTRPBF EDA模型

原理图符号
封装
3D模型
下载zip

IRLR3705ZTRPBF 数据手册

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  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

IRLR3705ZTRPBF 图片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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