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STMicroelectronics

STW11NK100Z

MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3

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STW11NK100Z 器件参数

Function

  • 额定电流
    8.3 A
  • 额定电压
    1 V, 1 kV
  • 阈值电压
    3.75 V
  • 配置
    Single
  • 连续漏极电流
    8.3 A
  • 输入偏置电容
    3.5 nF
  • 类型
    N沟道
  • 漏源电阻
    1.38 Ω
  • 漏源电压
    1 kV
  • 漏源极击穿电压
    1 kV
  • 漏源导通电阻@10V,4.15A
    1.38 Ω
  • 漏源导通电阻
    1.38 Ω
  • 栅源电压
    30 V
  • 栅源极阈值电压@100uA
    4.5 V
  • 栅极电荷
    162 nC
  • 晶体管类型
    N沟道
  • 接通延迟时间
    27 ns
  • 功率耗散
    230 W
  • 关闭延迟时间
    98 ns
  • 元件数量
    1
  • 下降时间
    55 ns
  • 上升时间
    18 ns

Physical

  • 重量
    20 mlb
  • 抗辐射加固
    No
  • 引脚数
    3
  • 工作温度
    -55 °C, 150 °C
  • 安装方式
    Through Hole
  • 包装方式
    Rail/Tube
  • 包装数量
    30
  • 制造商封装
    TO-247AC-3

Compliance

  • 无铅
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    20.15 mm
  • 长度
    15.75 mm
  • 宽度
    5.15 mm

STW11NK100Z EDA模型

原理图符号
封装
3D模型
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STW11NK100Z 数据手册

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  • STW11NK100Z
    1年前
    Huaqiu Chip

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  • Huaqiu Chip

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