APT65GP60B2G

制造商：Microchip Technology

描述：IGBT 600V 100A 833W TMAX

Datasheet：

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器件参数

Function

额定电流

100 A
额定电压

600 V
集电极电流

100 A
集电极发射极饱和电压

2.7 V
集电极-发射极电压

600 V
集电极-发射极击穿电压

600 V
配置

Single
栅极电荷

210 nC
晶体管类型

PT
功率耗散

833 W

Physical

抗辐射加固

No
工作温度

-55 °C, 150 °C
安装方式

Through Hole
包装方式

Rail/Tube
制造商封装

TO-247-3

Compliance

无铅

Lead Free

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