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HGTD1N120BNS9A

制造商:ON Semiconductor

描述:IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 额定电流
    5.3 A
  • 额定电压
    1.2 V, 1.2 kV
  • 集电极电流
    5.3 A
  • 集电极发射极饱和电压
    2.5 V
  • 集电极-发射极电压
    1.2 kV
  • 集电极-发射极击穿电压
    1200 V
  • 配置
    Single
  • 类型
    NPT
  • 栅极电荷
    14 nC
  • 栅极/发射极最大电压
    7.1 V
  • 晶体管类型
    NPT
  • 接通延迟时间
    15 ns
  • 功率耗散
    60 W
  • 击穿电压
    1.2 kV
  • 关闭延迟时间
    67 ns

Physical

  • 重量
    0.009184 oz
  • 抗辐射加固
    No
  • 引脚数
    3
  • 工作温度@Tj
    150 °C
  • 工作温度(Min)
    -55 °C
  • 工作温度(Max)
    150 °C
  • 安装方式
    Surface Mount
  • 包装方式
    Tape and Reel
  • 制造商封装
    TO-252AA

Compliance

  • 无铅
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC
库存量:0
预计交期:
数量
单价
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