SI3900DV-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Datasheet：

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器件参数

Function

配置

Dual
通道数量

2
连续漏极电流

2 A
漏源电阻

125 mΩ
漏源电压

20 V
漏源极击穿电压

20 V
漏源导通电阻

125 mΩ
栅源电压

12 V
栅极电荷@4.5V

4 nC
晶体管类型

2个N沟道(双)
接通延迟时间

10 ns
功率耗散

830 mW
关闭延迟时间

14 ns
元件数量

2
下降时间

6 ns
上升时间

30 ns
FET功能

逻辑电平门

Physical

重量

0.000705 oz
抗辐射加固

No
引脚数

6
工作温度

-55 °C, 150 °C
安装方式

Surface Mount
包装方式

Tape and Reel
包装数量

1
制造商封装

TSOP

Compliance

无铅

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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