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FGHL75T65LQDTL4

制造商:ON Semiconductor

描述:FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2

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器件参数

Function

  • 集电极电流
    80 A
  • 集电极-发射极击穿电压
    650 V
  • 栅极电荷
    779 nC
  • 晶体管类型
    沟槽型场截止
  • 反向恢复时间
    87 ns

Physical

  • 安装方式
    DIP
  • 制造商封装
    TO-247-4

Compliance

  • 无铅
    Y
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