STD7NM64N

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 640V 5A DPAK

Datasheet：

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器件参数

Function

配置

Single
通道数量

1
连续漏极电流

5 A
输入偏置电容

363 pF
漏源电阻

1.05 Ω
漏源电压

640 V
漏源极击穿电压

640 V
漏源导通电阻

1.05 Ω
栅源电压

25 V
栅极电荷@10V

14 nC
晶体管类型

N沟道
接通延迟时间

7 ns
功率耗散

60 W
关闭延迟时间

26 ns
下降时间

12 ns
上升时间

10 ns

Physical

重量

0.139332 oz
工作温度

-55 °C, 150 °C
安装方式

SMT
包装方式

Tape and Reel
制造商封装

TO-252-3

Compliance

无铅

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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