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APTCV60TLM45T3G

制造商:Microchip Technology

描述:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 集电极电流
    100 A
  • 集电极-发射极电压
    600 V
  • 集电极-发射极击穿电压
    600 V
  • 配置
    Dual
  • 输入偏置电容
    4.62 nF
  • 输入
    Standard
  • 电流
    75 A
  • 热敏电阻
    Yes
  • 晶体管类型
    沟槽型场截止
  • 功率耗散
    250 W
  • 产品类型
    Si Mosfet

Physical

  • 配置
    Three level inverter
  • 抗辐射加固
    No
  • 引脚数
    24
  • 工作温度
    -40 °C, 175 °C
  • 安装方式
    Screw
  • 包装方式
    Bulk
  • 制造商封装
    Module

Compliance

  • 无铅
    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
库存量:0
预计交期:
数量
单价
总价(阶梯最低数量总价)

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