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ON Semiconductor

NCV5106ADR2G

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

数据手册下载立即订购

NCV5106ADR2G 器件参数

Function

驱动配置

半桥
驱动器数量

2
隔离类型

Junction Isolation
输出端数量

2.0
负载类型

MOSFET；IGBT
类型

IGBT, N通道 MOSFET
电源电压(Min)

10 V
电源电压(Max)

20 V
电压(Min)

10 V
电压(Max)

20 V
拓扑结构

Half-Bridge
峰值脉冲电流

250 mA, 500 mA
下降时间

35 ns
上升时间

85 ns

Physical

工作温度@Tj

125 °C
工作温度(Min)

-40 °C
工作温度(Max)

125 °C
安装方式

SMT
制造商封装

SOP-8

Compliance

RoHS

Yes

NCV5106ADR2G EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

下载zip

NCV5106ADR2G 数据手册

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NCV5106ADR2G

1年前

Huaqiu Chip
Datasheet

1年前

Huaqiu Chip

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Huaqiu Chip
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