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替代物料
FGD3040G2-F085
制造商:ON Semiconductor
描述:IGBT 400V 41A TO252AA
Datasheet:
在线询价
器件参数
Function
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集电极电流
41 A
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集电极发射极饱和电压
1.25 V
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集电极-发射极击穿电压
400 V
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栅极电荷
21 nC
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功率耗散
150 W
Physical
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工作温度@Tj
175 °C
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工作温度(Min)
-55 °C
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工作温度(Max)
175 °C
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安装方式
SMT
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制造商封装
TO-252AA