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Texas Instruments (TI)

TLV2376IDR

IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC

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TLV2376IDR 器件参数

Function

输出类型

Rail-to-Rail
输入偏置电压

40 μV
电源电压(Min)

1.1 V
放大器类型

General Purpose
增益带宽乘积

5.5 MHz
回路数量

2
压摆率

2 V/?s
共模抑制比

88 dB
供电电流

815 μA

Physical

工作温度

125 °C
安装方式

SMT
包装方式

2500pcs
制造商封装

SOIC-8

Compliance

无铅

Yes

TLV2376IDR EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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TLV376, TLV2376, TLV4376-TI.pdf

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