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APT50GT60BRG

制造商:Microchip Technology

描述:IGBT NPT 600 V 110 A 446 W Through Hole TO-247 [B]

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 额定电流
    110 A
  • 额定电压
    600 V
  • 集电极电流
    110 A
  • 集电极-发射极电压
    600 V
  • 集电极-发射极击穿电压
    600 V
  • 配置
    Single
  • 栅极电荷
    240 nC
  • 晶体管类型
    NPT
  • 功率耗散
    446 W

Physical

  • 抗辐射加固
    No
  • 工作温度
    -55 °C, 150 °C
  • 安装方式
    Through Hole
  • 包装方式
    Rail/Tube
  • 制造商封装
    TO-247

Compliance

  • 无铅
    Lead Free
库存量:0
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单价
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