SI2333DDS-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3

Datasheet：

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器件参数

Function

阈值电压

400 mV
配置

Single
通道数量

1
连续漏极电流

6 A
输入偏置电容@6V

1.275 nF
类型

P沟道
漏源电阻

28 mΩ
漏源电压

12 V
漏源极击穿电压

-12 V
漏源导通电阻@4.5V,5A

28 mΩ
漏源导通电阻

28 mΩ
栅源电压

8 V
栅源极阈值电压@250uA

1 V
栅极电荷@8V

35 nC
晶体管类型

P沟道
接通延迟时间

45 ns
反向传输电容

236 pF
功率耗散

1.2 W, 1.7 W
击穿电压

12 V
关闭延迟时间

45 ns
元件数量

1
下降时间

20 ns
上升时间

24 ns

Physical

重量

0.050717 oz
端子间距

1.9 mm
抗辐射加固

No
引脚数

3
工作温度@Tj

150 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

150 °C
安装方式

Surface Mount
包装方式

Tape and Reel
包装数量

1
制造商封装

SOT-23(TO-236)

Compliance

无铅

Lead Free
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

1.02 mm
长度

3.04 mm
宽度

1.4 mm

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