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STGF20M65DF2

制造商:STMicroelectronics

描述:IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 集电极电流
    40 A
  • 集电极-发射极击穿电压
    650 V
  • 类型
    沟槽场截止
  • 反向恢复时间
    166 ns
  • 功率耗散
    32.6 W

Physical

  • 工作温度@Tj
    175 °C
  • 工作温度(Min)
    -55 °C
  • 工作温度(Max)
    175 °C
  • 制造商封装
    TO-220F-3

Compliance

  • 无铅
    Y
库存量:0
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