按产品类型
更多分类

FGY100T65SCDT

制造商:ON Semiconductor

描述:安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能、UPS、电信、ESS 和 HVAC 应用等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

Datasheet:

在线询价
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件参数

Function

  • 集电极电流
    200 A
  • 集电极发射极饱和电压
    1.9 V
  • 集电极-发射极击穿电压
    650 V
  • 栅极电荷
    157 nC
  • 晶体管类型
    Trench Field Stop
  • 反向恢复时间
    62 ns

Physical

  • 安装方式
    DIP
  • 制造商封装
    TO-247-3

Compliance

  • RoHS
    Yes
库存量:0
预计交期:
数量
单价
总价(阶梯最低数量总价)

EDA模型
下载zip

原理图符号
封装
3D模型

替代物料