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Microchip Technology

1N4149

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

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1N4149 器件参数

Function

  • 重复反向电压
    75 V
  • 配置
    Single
  • 正向电流
    200 mA
  • 正向电压
    1 V
  • 平均整流电流
    200 mA
  • 峰值反向电压
    75 V
  • 反向电压
    75 V
  • 反向漏电流
    25 nA
  • 反向恢复时间
    4 ns

Physical

  • 抗辐射加固
    No
  • 引脚数
    2
  • 工作温度
    -65 °C, 150 °C
  • 安装方式
    Through Hole
  • 包装方式
    Bulk
  • 制造商封装
    DO-204AH, DO-35

Compliance

  • 无铅
    No

1N4149 EDA模型

原理图符号
封装
3D模型
下载zip

1N4149 数据手册

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  • ae069a3a973df9e96ba3d193977697b8.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip

1N4149 图片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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