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ON Semiconductor

QSE773E3R0

SENSOR PHOTODIODE 940NM RADIAL

数据手册下载立即订购

QSE773E3R0 器件参数

Function

波长

940 nm
暗电流

30 nA
峰值波长

940 nm
反向电压

32 V
反向击穿电压

32 V
功率耗散

150 mW
下降时间

50 ns
上升时间

50 ns

Physical

重量

0.009556 oz
触点镀层

Tin
引脚数

2
工作温度(Min)

-40 °C
工作温度(Max)

85 °C
工作温度

85 °C
安装方式

Through Hole
可视角度

120 ?
包装方式

Tape and Reel
制造商封装

插件,L=5.5mm

Compliance

无铅

Lead Free
RoHS

Pb-free

QSE773E3R0 EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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QSE773E3R0 数据手册

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1年前

Huaqiu Chip
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1年前

Huaqiu Chip

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Huaqiu Chip

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