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ZDS020N60TB

制造商:Rohm

描述:MOSFET N-CH 600V 630MA 8SOP

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 输入偏置电容
    310 pF
  • 漏源电压
    600 V
  • 漏源导通电阻
    5 Ω
  • 栅源电压
    30 V
  • 栅极电荷@10V
    20 nC
  • 晶体管类型
    N沟道
  • 接通延迟时间
    25 ns
  • 功率耗散
    2 W
  • 关闭延迟时间
    65 ns
  • 下降时间
    65 ns
  • 上升时间
    20 ns

Physical

  • 抗辐射加固
    No
  • 引脚数
    8
  • 工作温度
    -55 °C, 150 °C
  • 安装方式
    Surface Mount
  • 包装方式
    Tape and Reel
  • 制造商封装
    SOIC

Compliance

  • 无铅
    Lead Free
库存量:0
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单价
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