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Infineon

IRLB8721PBF

MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB

数据手册下载立即订购

IRLB8721PBF 器件参数

Function

阈值电压

1.8 V
闸/源截止电压

1.8 V
配置

Single
连续漏极电流

62 A
输入偏置电容@15V

1.077 nF
类型

N沟道
漏源电阻

16 mΩ
漏源电压

30 V
漏源极击穿电压

30 V
漏源导通电阻@10V,31A

8.7 mΩ
漏源导通电阻

8.7 mΩ
栅源电压

20 V
栅源极阈值电压@25uA

2.35 V
栅极电荷@4.5V

13 nC
晶体管类型

N沟道
接通延迟时间

9.1 ns
恢复时间

24 ns
功率耗散

65 W
关闭延迟时间

9 ns
下降时间

17 ns
上升时间

93 ns

Physical

触点镀层

Tin
焊端样式

Through Hole
抗辐射加固

No
引脚数

3
工作温度@Tj

175 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

175 °C
安装方式

Through Hole
包装方式

Rail/Tube
包装数量

50
制造商封装

TO-220

Compliance

无铅

Lead Free
RoHS

yes
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

9.02 mm
长度

10.67 mm
宽度

4.83 mm

IRLB8721PBF EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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IRLB8721PBF 数据手册

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1年前

Huaqiu Chip
Datasheet

1年前

Huaqiu Chip

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Huaqiu Chip
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