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STMicroelectronics

STGB18N40LZT4

IGBT 420V 30A 150W D2PAK

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STGB18N40LZT4 器件参数

Function

集电极电流

30 A
集电极发射极饱和电压

1.35 V
集电极-发射极电压

360 V
集电极-发射极击穿电压

420 V
配置

Single
等级

Automotive
栅极电荷

29 nC
接通延迟时间

650 ns
功率耗散

150 W
击穿电压

420 V
关闭延迟时间

13.5 ?s

Physical

触点镀层

Tin
抗辐射加固

No
引脚数

3
工作温度@Tj

175 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

175 °C
安装方式

Surface Mount
包装方式

Tape and Reel
制造商封装

TO-263AB

Compliance

无铅

Lead Free
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

4.6 mm
长度

10.4 mm
宽度

9.35 mm

STGB18N40LZT4 EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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STGB18N40LZT4

1年前

Huaqiu Chip
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1年前

Huaqiu Chip

STGB18N40LZT4 图片

Huaqiu Chip
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