SIR470DP-T1-GE3

制造商：Vishay

描述：MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Datasheet：

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器件参数

Function

阈值电压

1 V
闸/源截止电压

2.5 V
配置

Single
通道数量

1
连续漏极电流

60 A
输入偏置电容

5.66 nF
类型

N沟道
漏源电阻

2.2 mΩ
漏源电压

40 V
漏源极击穿电压

40 V
漏源导通电阻@10V,20A

2.3 mΩ
漏源导通电阻

2.3 mΩ
栅源电压

20 V
栅源极阈值电压@250uA

2.5 V
栅极电荷@10V

155 nC
晶体管类型

N沟道
接通延迟时间

40 ns
功率耗散

6.25 W
关闭延迟时间

85 ns
元件数量

1
下降时间

39 ns
上升时间

31 ns

Physical

重量

0.01787 oz
抗辐射加固

No
引脚数

8
工作温度

-55 °C, 150 °C
安装方式

Surface Mount
包装方式

Tape and Reel
包装数量

1
制造商封装

PowerPAK-SO-8

Compliance

无铅

Lead Free
REACH SHVC Compliant

Unknown

Dimension

高度

1.04 mm
长度

4.9 mm
宽度

5.89 mm

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