FQP7P06

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 60V 7A TO220-3

Datasheet：

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器件参数

Function

额定电流

-7 A
额定电压

-60 V
阈值电压

-4 V
闸/源截止电压

-4 V
配置

Single
连续漏极电流

7 A
输入偏置电容@25V

295 pF
类型

P沟道
漏源电阻

410 mΩ
漏源电压

60 V
漏源极击穿电压

-60 V
漏源导通电阻@3.5A,10V

410 mΩ
漏源导通电阻

410 mΩ
栅源电压

25 V
栅源极阈值电压@250uA

4 V
栅极电荷@10V

8.2 nC
晶体管类型

P沟道
接通延迟时间

7 ns
导通电阻

410 mΩ
功率耗散

45 W
关闭延迟时间

7.5 ns
元件数量

1
下降时间

25 ns
上升时间

50 ns

Physical

配置

Single
引脚数

3
工作温度@Tj

175 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

175 °C
安装方式

Through Hole
包装方式

Rail/Tube
包装数量

50
制造商封装

TO-220

Compliance

无铅

Lead Free
RoHS

Yes
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

9.4 mm
长度

10.1 mm
宽度

4.7 mm

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