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FGY75T120SQDN

制造商:ON Semiconductor

描述:IGBT 1200V 75A UFS

Datasheet:

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  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件参数

Function

  • 集电极电流
    150 A
  • 集电极发射极饱和电压
    1.95 V
  • 集电极-发射极击穿电压
    1200 V
  • 类型
    场截止
  • 栅极电荷
    399 nC
  • 晶体管类型
    Field Stop
  • 反向恢复时间
    99 ns
  • 功率耗散
    790 W

Physical

  • 工作温度@Tj
    175 °C
  • 工作温度(Min)
    -55 °C
  • 工作温度(Max)
    175 °C
  • 安装方式
    DIP
  • 制造商封装
    TO-247-3

Compliance

  • 无铅
    Y
  • RoHS
    Yes
库存量:0
预计交期:
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