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替代物料
FGY75T120SQDN
制造商:ON Semiconductor
描述:IGBT 1200V 75A UFS
Datasheet:
在线询价
器件参数
Function
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集电极电流
150 A
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集电极发射极饱和电压
1.95 V
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集电极-发射极击穿电压
1200 V
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类型
场截止
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栅极电荷
399 nC
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晶体管类型
Field Stop
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反向恢复时间
99 ns
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功率耗散
790 W
Physical
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工作温度@Tj
175 °C
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工作温度(Min)
-55 °C
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工作温度(Max)
175 °C
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安装方式
DIP
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制造商封装
TO-247-3