0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

ON Semiconductor

FDMS3602AS

Mosfet Array 25V 15A, 26A 2.2W, 2.5W Surface Mount Power56

数据手册下载 立即订购
  • 器件参数
  • EDA模型
  • 数据手册
  • 图片
  • 技术文章
  • 开发资料
  • 社区问答

FDMS3602AS 器件参数

Function

  • 通道数量
    2
  • 连续漏极电流
    26 A
  • 输入偏置电容
    1.77 nF
  • 漏源电阻
    1.7 mΩ
  • 漏源电压
    25 V
  • 漏源极击穿电压
    25 V
  • 漏源导通电阻
    5.6 mΩ
  • 栅源电压
    20 V
  • 栅极电荷@10V
    27 nC
  • 晶体管类型
    2个N沟道(双)非对称型
  • 接通延迟时间
    12 ns
  • 功率耗散
    2.5 W
  • 关闭延迟时间
    31 ns
  • 下降时间
    3.2 ns
  • 上升时间
    4.2 ns
  • FET功能
    逻辑电平门

Physical

  • 重量
    0.006032 oz
  • 引脚数
    8
  • 工作温度
    -55 °C, 150 °C
  • 安装方式
    SMT
  • 包装方式
    Tape and Reel
  • 制造商封装
    Power-56-8

Compliance

  • 无铅
    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

FDMS3602AS EDA模型

原理图符号
封装
3D模型
下载zip

FDMS3602AS 数据手册

FDMS3602AS 图片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

  • Farnell

    Farnell