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APT50GT120LRDQ2G

制造商:Microchip Technology

描述:IGBT NPT 1200 V 106 A 694 W Through Hole TO-264 [L]

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 集电极电流
    106 A
  • 集电极-发射极电压
    1.2 kV
  • 集电极-发射极击穿电压
    1.2 kV
  • 配置
    Single
  • 栅极电荷
    240 nC
  • 晶体管类型
    NPT
  • 功率耗散
    694 W

Physical

  • 抗辐射加固
    No
  • 工作温度
    -55 °C, 150 °C
  • 安装方式
    Through Hole
  • 包装方式
    Rail/Tube
  • 制造商封装
    TO-264-3

Compliance

  • 无铅
    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
库存量:0
预计交期:
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单价
总价(阶梯最低数量总价)

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