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STMicroelectronics

STGWT80H65DFB

IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

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STGWT80H65DFB 器件参数

Function

集电极电流

120 A
集电极发射极饱和电压

1.6 V
集电极-发射极电压

650 V
集电极-发射极击穿电压

650 V
配置

Single
正向电流

120 A
栅极电荷

414 nC
晶体管类型

沟槽型场截止
反向恢复时间

85 ns
功率耗散

469 W

Physical

重量

0.238311 oz
抗辐射加固

No
工作温度

-55 °C, 175 °C
安装方式

Through Hole
包装方式

Rail/Tube
包装数量

30
制造商封装

TO-3P-3

Compliance

无铅

Lead Free

Dimension

高度

20.1 mm
长度

15.8 mm
宽度

5 mm

STGWT80H65DFB EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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STGWT80H65DFB

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STGWT80H65DFB 图片

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