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NVE

IL612-3E

Digital Isolator, 2, 8 Ns, 3 V, 5.5 V, Soic, 8 Rohs Compliant: Yes

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IL612-3E 器件参数

Function

  • 隔离电压
    2500 Vrms
  • 隔离技术
    巨磁隔离(GMR)
  • 隔离功率
    No
  • 通道类型
    Unidirectional
  • 通道数量
    2
  • 输出电流
    4 mA
  • 输入电流
    75 mA
  • 电源电压(Min)
    3 V
  • 电源电压(Max)
    5.5 V
  • 是否带电压隔离
    不带电压隔离
  • 数据速率
    100 Mb/s
  • 技术
    GMR(大型磁阻传感)
  • 传播延迟
    15 ns
  • 上升时间
    4 ns

Physical

  • 引脚数
    8
  • 工作温度
    -40 °C, 85 °C
  • 包装方式
    Rail/Tube
  • 包装数量
    100
  • 制造商封装
    SOIC-8

Compliance

  • 无铅
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 长度
    10 mm
  • 深度
    6.2 mm
  • 宽度
    1.8 mm

IL612-3E EDA模型

原理图符号
封装
3D模型
下载zip

IL612-3E 数据手册

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  • 1年前
    Huaqiu Chip

IL612-3E 图片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip