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STGB20H65DFB2

制造商:STMicroelectronics

描述:TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 集电极电流
    40 A
  • 集电极-发射极击穿电压
    650 V
  • 等级
    Industrial
  • 栅极电荷
    56 nC
  • 晶体管类型
    沟槽型场截止
  • 反向恢复时间
    215 ns

Physical

  • 安装方式
    SMT
  • 制造商封装
    TO-263-4,D?Pak(3引线+接片),TO-263AA

Compliance

  • 无铅
    Y
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