JAN1N5622US

制造商：Microchip Technology

描述：DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A

Datasheet：

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器件参数

Function

重复反向电压

100 V
配置

Single
正向电压

1.3 V
平均整流电流

1 A
峰值非重复浪涌电流

30 A
反向电压

1 kV
反向漏电流

500 nA
反向恢复时间

2 ?s

Physical

抗辐射加固

No
工作温度

-65 °C, 200 °C
安装方式

Surface Mount
包装方式

Bulk
制造商封装

MELF

Compliance

无铅

No

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