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APT80GA90S

制造商:Microchip Technology

描述:IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 集电极电流
    145 A
  • 集电极发射极饱和电压
    3.1 V
  • 集电极-发射极电压
    900 V
  • 集电极-发射极击穿电压
    900 V
  • 配置
    Single
  • 栅极电荷
    200 nC
  • 晶体管类型
    PT

Physical

  • 抗辐射加固
    No
  • 安装方式
    Surface Mount
  • 包装方式
    Rail/Tube
  • 制造商封装
    TO268-3
库存量:0
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