MJD112G

制造商：ON Semiconductor

描述：Complementary Darlington Power Transistor, 3-Pin DPAK, Pb-Free, Tube

Datasheet：

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器件参数

Function

额定电流

2 A
额定电压

100 V
集电极电流

2 A
集电极截止电流

20 μA
集电极发射极饱和电压@4A,40mA

3 V
集电极-基极电压

100 V
集电极-发射极电压

100 V
集电极-发射极击穿电压

100 V
配置

Single
转换频率

25 MHz
电流增益 hFE@3V,2A

1000
极性

NPN
晶体管类型

NPN
发射极 - 基极电压

5 V
功率耗散

1.75 W
元件数量

1

Physical

触点镀层

Tin
抗辐射加固

No
引脚数

3
工作温度@Tj

150 °C
工作温度(Min)

-65 °C
工作温度(Max)

150 °C
安装方式

SMT
包装方式

Rail/Tube
包装数量

75
制造商封装

TO-252

Compliance

无铅

Lead Free
无卤素

Halogen Free
RoHS

Yes
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

2.38 mm
长度

6.73 mm
宽度

6.22 mm

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