STU11N65M2

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 650V 7A IPAK

Datasheet：

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器件参数

Function

阻值

600 mΩ
阈值电压

3 V
通道数量

1
连续漏极电流

7 A
输入偏置电容@100V

410 pF
类型

N沟道
等级

Industrial
漏源电阻

670 mΩ
漏源电压

650 V
漏源极击穿电压

650 V
漏源导通电阻@3.5A,10V

670 mΩ
漏源导通电阻

670 mΩ
栅源电压

25 V
栅源极阈值电压@250uA

4 V
栅极电荷@10V

12.5 nC
晶体管类型

N沟道
接通延迟时间

8.5 ns
功率耗散

85 W
关闭延迟时间

26 ns
下降时间

15 ns
上升时间

7.5 ns

Physical

重量

0.139332 oz
引脚数

3
工作温度@Tj

150 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

150 °C
安装方式

DIP
包装方式

Rail/Tube
包装数量

75
制造商封装

IPAK

Compliance

无铅

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
REACH SHVC Compliant

No SVHC

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